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Technologie

Aufbau des Rückgrats des neuen Infineon-Halbleiterwerks in Thailand

Apr. 8, 2026
Infineon Thailand semiconductor plant

Da die weltweite Nachfrage nach Halbleitern steigt, investiert Infineon Technologies in ein hochmodernes Fertigungszentrum in Samut Prakan, Thailand. Aginode ist stolz darauf, dieses bahnbrechende Projekt durch die Bereitstellung einer hochleistungsfähigen Konnektivitätsinfrastruktur zu unterstützen, die für die präzisionsgesteuerte Wafer-Fertigung unerlässlich ist.

Von KI-gestützten Anwendungen bis hin zum Aufstieg der humanoiden Robotik steht die Halbleiterindustrie unter zunehmendem Druck, mehr Rechenleistung schneller und effizienter bereitzustellen. Infineons neue, 736 Hektar große Anlage in Thailand ist eine direkte Antwort auf diese Nachfrage - sie ist ein wichtiger Akteur sowohl bei der globalen Dekarbonisierung als auch beim Wachstum des südostasiatischen Tech-Ökosystems.

In solch fortschrittlichen Produktionsumgebungen kann selbst die kleinste Störung große Auswirkungen haben. Die Herstellung von Wafern beruht auf hochsensiblen Prozessen, bei denen elektromagnetische Interferenzen (EMI), die von Lithografiegeräten und Hochleistungsmotoren erzeugt werden, Datenfehler verursachen können. Ein einziger Moment des Signalverlusts oder Rauschens kann die Ausbeute verringern oder die Produktion ganz zum Erliegen bringen.

Um einen nahtlosen und zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten, wurde Aginode ausgewählt, um das "digitale Nervensystem" der Anlage zu bauen Durch die Kombination von reinraumtauglicher Verpackung und branchenführender Abschirmungsleistung garantiert Aginode optimale Datenintegrität und Netzwerkstabilität in der gesamten Anlage.

Die Lösung umfasst LANmark-7 S/FTP Cat7-Kabel, LANmark-6A-Konnektivität, LANmark-OF MPO 24-Glasfaserinfrastruktur und das FIBREROUTE Trunking-System - entwickelt, um die höchsten Standards für Leistung und Zuverlässigkeit zu erfüllen.

Seit der Sicherung von Phase 1 des Projekts im August 2025, die 1.400 Knoten umfasst, arbeiten die Aginode-Teams auf die Fertigstellung im zweiten Quartal 2026 hin. Dieses Projekt ist mehr als nur eine Infrastruktur - es ist ein entscheidender Schritt, um die nächste Generation von Halbleiterinnovationen zu ermöglichen.

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